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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NTHD4508NT1G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NTHD4508NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTHD4508NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTHD4508NT1G |
Description | MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 20V 3A 1,13W Montage en surface ChipFET™ |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NTHD4508NT1G Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA |
Fabricant onsemi | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 4nC à 4,5V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 180pF à 10V |
Statut du composant Obsolète | Puissance - Max. 1,13W |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configuration 2 canaux N (double) | Type de montage Montage en surface |
Fonction FET Porte de niveau logique | Boîtier 8-SMD, broches plates |
Tension drain-source (Vdss) 20V | Boîtier fournisseur ChipFET™ |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3A | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 75mohms à 3,1A, 4,5V |
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Obsolète
