8 SMD
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NTHD4P02FT1G

Numéro de produit DigiKey
NTHD4P02FT1GOSTR-ND - Bande et bobine
NTHD4P02FT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTHD4P02FT1G
Description
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Référence client
Description détaillée
Canal P 20 V 2,2 A (Tj) 1,1W (Tj) Montage en surface ChipFET™
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2,2 A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
155mohms à 2,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
300 pF @ 10 V
Fonction FET
Diode Schottky (isolée)
Dissipation de puissance (max.)
1,1W (Tj)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
ChipFET™
Boîtier
8-SMD, broches plates
Numéro de produit de base
NTHD4
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En stock: 1’780
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.76000Fr. 1.76
10Fr. 1.12900Fr. 11.29
100Fr. 0.76660Fr. 76.66
500Fr. 0.61144Fr. 305.72
1’000Fr. 0.56156Fr. 561.56
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.76000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.90256