Name: NTHL022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTHL022N120M3S-ND
Price: 17.38248 CHF
Availability: InStock

Canal N 1200 V 68 A (Tc) 352W (Tc) Trou traversant TO-247-3

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NTHL022N120M3S
Numéro de produit DigiKey	5556-NTHL022N120M3S-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHL022N120M3S
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 68 A (Tc) 352W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 20mA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 139 nC @ 18 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) +22V, -10V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3130 pF @ 800 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 352W (Tc)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1200 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 68 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 30mohms à 40A, 18V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMWSH120H18HM3	Diodes Incorporated	24	31-DMWSH120H18HM3-ND	Fr. 24.29000	Similaire

En stock: 414

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 16.08000	Fr. 16.08
10	Fr. 11.48900	Fr. 114.89
450	Fr. 8.40356	Fr. 3’781.60

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.