
NTLJD2105LTBG | |
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Numéro de produit DigiKey | NTLJD2105LTBG-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTLJD2105LTBG |
Description | MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6WDFN |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 8V 2,5A 520mW Montage en surface 6-WDFN (2x2) |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | onsemi | |
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | Canaux N et P | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 8V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 2,5A | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 50mohms à 4A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | - | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | - | |
Puissance - Max. | 520mW | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | 6-WDFN plot exposé | |
Boîtier fournisseur | 6-WDFN (2x2) | |
Numéro de produit de base |