Name: NTLJF3117PT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJF3117PT1GOSTR-ND
Price: 0.69184 CHF
Availability: InStock

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NTLJF3117PT1G
Numéro de produit DigiKey	NTLJF3117PT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTLJF3117PT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTLJF3117PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTLJF3117PT1G
Description	MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2,3 A (Ta) 710mW (Ta) Montage en surface 6-WDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTLJF3117PT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
Série µCool™	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 531 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Fonction FET Diode Schottky (isolée)
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 710mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,3 A (Ta)	Boîtier fournisseur 6-WDFN (2x2)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier 6-WDFN plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 100mohms à 2A, 4,5V	Numéro de produit de base NTLJF3117