Name: NTLJF4156NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTLJF4156NT1GOSTR-ND
Price: 0.38916 CHF
Availability: InStock

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NTLJF4156NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTLJF4156NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTLJF4156NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTLJF4156NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTLJF4156NT1G
Description	MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 2,5 A (Tj) 710mW (Ta) Montage en surface 6-WDFN (2x2)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	70mohms à 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	6.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	427 pF @ 15 V
Fonction FET	Diode Schottky (isolée)
Dissipation de puissance (max.)	710mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-WDFN (2x2)
Boîtier	6-WDFN plot exposé
Numéro de produit de base	NTLJF4156

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