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NTLJS3113PT1G | |
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Numéro de produit DigiKey | NTLJS3113PT1GOSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTLJS3113PT1G |
Description | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 3,5 A (Ta) 700mW (Ta) Montage en surface 6-WDFN (2x2) |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,5V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 40mohms à 3A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 1V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1329 pF @ 16 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 700mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 6-WDFN (2x2) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |


