NTLUS3A90PZTBG onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTLUS3A90PZTBG
Numéro de produit DigiKey	NTLUS3A90PZTBG-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTLUS3A90PZTBG
Description	MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2,6 A (Ta) 600mW (Ta) Montage en surface 6-UDFN (1,6x1,6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTLUS3A90PZTBG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	62mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	950 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	600mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-UDFN (1,6x1,6)
Boîtier	6-PowerUFDFN
Numéro de produit de base	NTLUS3