8 SOIC
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NTMD4820NR2G

Numéro de produit DigiKey
NTMD4820NR2GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTMD4820NR2G
Description
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 4,9A 750mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTMD4820NR2G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,9A
Rds On (max.) à Id, Vgs
20mohms à 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
7,7nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
940pF à 15V
Puissance - Max.
750mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Numéro de produit de base
NTMD4820
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