NTMFD4C88NT1G est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


onsemi
En stock: 7’493
Prix unitaire : Fr. 2.35000
Fiche technique
MOSFET - Matrices 30V 11,7 A, 14,2 A 1,1W Montage en surface 8-DFN (5x6)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTMFD4C88NT1G

Numéro de produit DigiKey
NTMFD4C88NT1G-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTMFD4C88NT1G
Description
MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 11,7 A, 14,2 A 1,1W Montage en surface 8-DFN (5x6)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Fabricant
onsemi
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22,2nC à 10V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1252pF à 15V
Statut du composant
Obsolète
Puissance - Max.
1,1W
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
2 à canal N (double), asymétriques
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier
8-PowerTDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11,7 A, 14,2 A
Boîtier fournisseur
8-DFN (5x6)
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,4mohms à 10A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
FDPC5018SGonsemi7’493FDPC5018SGCT-NDFr. 2.35000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable