Name: NTMFD6H840NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFD6H840NLT1GTR-ND
Price: 2.74574 CHF
Availability: OutOfStock

NTMFD6H840NLT1G est en rupture de stock et peut être placé en commande différée.

Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique

onsemi

En stock: 2’852

Prix unitaire : Fr. 2.42000

Équivalent paramétrique

onsemi

En stock: 837

Prix unitaire : Fr. 2.43000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTMFD6H840NLT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NTMFD6H840NLT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NTMFD6H840NLT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMFD6H840NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFD6H840NLT1G
Description	MOSFET 2N-CH 80V 14A 8DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 80V 14A (Ta), 74A (Tc) 3,1W (Ta), 90W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	14A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,9mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 96µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	32nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2022pF à 40V
Puissance - Max.	3,1W (Ta), 90W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Numéro de produit de base	NTMFD6