Name: NTMFS3D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND
Price: 3.01599 CHF
Availability: InStock

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NTMFS3D2N10MDT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NTMFS3D2N10MDT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NTMFS3D2N10MDT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMFS3D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS3D2N10MDT1G
Description	PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 19A (Ta), 142A (Tc) 2,8W (Ta), 155W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMFS3D2N10MDT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	19A (Ta), 142A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 316µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	71.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3900 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,8W (Ta), 155W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NTMFS3