8PowerTDFN
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NTMFS4852NT1G

Numéro de produit DigiKey
NTMFS4852NT1GOSTR-ND - Bande et bobine
NTMFS4852NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTMFS4852NT1G
Description
MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 16 A (Ta), 155 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
16 A (Ta), 155 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,1mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
71.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4970 pF @ 12 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
900mW (Ta), 86,2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier
8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base
NTMFS4
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En stock: 213
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Bande coupée (CT)
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 1.70000Fr. 1.70
10Fr. 1.08700Fr. 10.87
100Fr. 0.73800Fr. 73.80
Prix unitaire sans TVA:Fr. 1.70000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 1.83770