NTMFS4852NT1G onsemi | FET, MOSFET simples

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NTMFS4852NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTMFS4852NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTMFS4852NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS4852NT1G
Description	MOSFET N-CH 30V 16A/155A 5DFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 16 A (Ta), 155 A (Tc) 900mW (Ta), 86,2W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 71.3 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4970 pF @ 12 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 900mW (Ta), 86,2W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 16 A (Ta), 155 A (Tc)	Boîtier fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base NTMFS4

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Documents et supports

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Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.65000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.78365

NTMFS4852NT1G