NTMFS4946NT1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTMFS4946NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTMFS4946NT1GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS4946NT1G
Description	MOSFET N-CH 30V 12.7A/100A 5DFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 12,7 A (Ta), 100 A (Tc) 890mW (Ta), 55,5W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	12,7 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 11,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,4mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	53 nC @ 11.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3250 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	890mW (Ta), 55,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NTMFS4946