NTMFS4985NFT1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTMFS4985NFT1G
Numéro de produit DigiKey	NTMFS4985NFT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTMFS4985NFT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS4985NFT1G
Description	MOSFET N-CH 30V 17.5A/65A 5DFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 17,5 A (Ta), 65 A (Tc) 1,63W (Ta), 22,73W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMFS4985NFT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17,5 A (Ta), 65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,4mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,3V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2100 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,63W (Ta), 22,73W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NTMFS4985

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)