Name: NTMFS4C09NCT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS4C09NCT1GTR-ND
Price: 1.10262 CHF
Availability: OutOfStock

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NTMFS4C09NBT1G

onsemi

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NTMFS4C09NCT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NTMFS4C09NCT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NTMFS4C09NCT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMFS4C09NCT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS4C09NCT1G
Description	NFET SO8FL 30V 52A 5.8MOH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 9 A (Ta), 52 A (Tc) 760mW (Ta), 25,5W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta), 52 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,8mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1252 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	760mW (Ta), 25,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NTMFS4

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Disponible sur commande

Stock usine : 4’347’000

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 1.02000	Fr. 1.02

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1’500	Fr. 0.25559	Fr. 383.38
3’000	Fr. 0.23755	Fr. 712.65
4’500	Fr. 0.23363	Fr. 1’051.34
7’500	Fr. 0.22904	Fr. 1’717.80
10’500	Fr. 0.22111	Fr. 2’321.66
15’000	Fr. 0.08280	Fr. 1’242.00