NTMFS4H01NFT3G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTMFS4H01NFT3G
Numéro de produit DigiKey	NTMFS4H01NFT3G-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFS4H01NFT3G
Description	MOSFET N-CH 25V 54A/334A 5DFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 54 A (Ta), 334 A (Tc) 3,2W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	54 A (Ta), 334 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	0,7mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5538 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,2W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NTMFS4