NTMFSCH1D4N08XTWG onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

Nouveau produit

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NTMFSCH1D4N08XTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NTMFSCH1D4N08XTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NTMFSCH1D4N08XTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMFSCH1D4N08XTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMFSCH1D4N08XTWG
Description	MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 263A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	DUAL COOL®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	263A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,4mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,6V à 348µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6303 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	208W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN (5x6)
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	NTMFSCH