Name: NTMTSC1D6N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND
Price: 6.79949 CHF
Availability: InStock

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NTMTSC1D6N10MCTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NTMTSC1D6N10MCTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NTMTSC1D6N10MCTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTMTSC1D6N10MCTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTMTSC1D6N10MCTXG
Description	MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	45 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35A (Ta), 267A (Tc) 5,1W (Ta), 291W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-TDFNW (8,3x8,4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTMTSC1D6N10MCTXG Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7630 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5,1W (Ta), 291W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-TDFNW (8,3x8,4)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Ta), 267A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,7mohms à 90A, 10V	Numéro de produit de base NTMTSC1
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 650µA