Name: NTTFD9D0N06HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND
Price: 1.66474 CHF
Availability: InStock

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NTTFD9D0N06HLTWG
Numéro de produit DigiKey	488-NTTFD9D0N06HLTWGTR-ND - Bande et bobine 488-NTTFD9D0N06HLTWGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTTFD9D0N06HLTWGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFD9D0N06HLTWG
Description	MOSFET 2N-CH 60V 9A 12WQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 9A (Ta), 38A (Tc) 1,7W (Ta), 26W (Tc) Montage en surface 12-WQFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTTFD9D0N06HLTWG Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	9mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 50µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13,5nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	948pF à 30V
Puissance - Max.	1,7W (Ta), 26W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	12-PowerWQFN
Boîtier fournisseur	12-WQFN (3,3x3,3)
Numéro de produit de base	NTTFD9