Name: NTTFS1D2N02P1E
Brand: onsemi
SKU: 488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND
Price: 2.64845 CHF
Availability: OutOfStock

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Renesas Electronics Corporation

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NTTFS1D2N02P1E
Numéro de produit DigiKey	488-NTTFS1D2N02P1ETR-ND - Bande et bobine 488-NTTFS1D2N02P1ECT-ND - Bande coupée (CT) 488-NTTFS1D2N02P1EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFS1D2N02P1E
Description	MOSFET N-CH 25V 23A/180A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 25 V 23A (Ta), 180A (Tc) 820mW (Ta), 52W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTTFS1D2N02P1E Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 934µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +16V, -12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4040 pF @ 13 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 820mW (Ta), 52W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 25 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23A (Ta), 180A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-PQFN (3,3x3,3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1mohms à 38A, 10V	Numéro de produit de base NTTFS1