NTTFS5116PLTWG
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NTTFS4941NTWG

Numéro de produit DigiKey
NTTFS4941NTWG-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTTFS4941NTWG
Description
MOSFET N-CH 30V 8.3A/46A 8WDFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 8,3 A (Ta), 46 A (Tc) 840mW (Ta), 25,5W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTTFS4941NTWG Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8,3 A (Ta), 46 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,2mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1619 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
840mW (Ta), 25,5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier
8-PowerWDFN
Numéro de produit de base
NTTFS4
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