Name: NTTFS4C05NTAG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS4C05NTAGOSTR-ND
Price: 0.76751 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTTFS4C05NTAG
Numéro de produit DigiKey	NTTFS4C05NTAGOSTR-ND - Bande et bobine NTTFS4C05NTAGOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTTFS4C05NTAGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFS4C05NTAG
Description	MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 12 A (Ta), 75 A (Tc) 820mW (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1988 pF @ 15 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 820mW (Ta), 33W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Ta), 75 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-WDFN (3,3x3,3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,6mohms à 30A, 10V	Numéro de produit de base NTTFS4