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NTTFS4C08NTWG est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NTTFS4C08NTWG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NTTFS4C08NTWG-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NTTFS4C08NTWG |
Description | MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 9,3 A (Ta) 820mW (Ta), 25,5W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NTTFS4C08NTWG Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | - | |
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 5,9mohms à 30A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,2V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 18.2 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1113 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 820mW (Ta), 25,5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | 8-WDFN (3,3x3,3) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
Suisse