NTTFS5820NLTWG est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Rohm Semiconductor
En stock: 9’270
Prix unitaire : Fr. 2.33000
Fiche technique
Canal N 60 V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2,7W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
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NTTFS5820NLTWG

Numéro de produit DigiKey
NTTFS5820NLTWG-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTTFS5820NLTWG
Description
MOSFET N-CH 60V 11A/37A 8WDFN
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 11 A (Ta), 37 A (Tc) 2,7W (Ta), 33W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTTFS5820NLTWG Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
2,3V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1462 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2,7W (Ta), 33W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
8-WDFN (3,3x3,3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
11,5mohms à 8,7A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
RH6L040BGTB1Rohm Semiconductor9’270846-RH6L040BGTB1CT-NDFr. 2.33000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.