NTTFS5826NLTWG onsemi | FET, MOSFET simples

NTTFS5826NLTWG est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Similaire

Rohm Semiconductor

En stock: 9’270

Prix unitaire : Fr. 2.33000

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NTTFS5826NLTWG
Numéro de produit DigiKey	NTTFS5826NLTWG-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTTFS5826NLTWG
Description	MOSFET N-CH 60V 8A 8WDFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 8 A (Ta) 3,1W (Ta), 19W (Tc) Montage en surface 8-WDFN (3,3x3,3)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTTFS5826NLTWG Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 850 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 19W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Ta)	Boîtier fournisseur 8-WDFN (3,3x3,3)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 7,5A, 10V	Numéro de produit de base NTTFS5

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
RH6L040BGTB1	Rohm Semiconductor	9’270	846-RH6L040BGTB1CT-ND	Fr. 2.33000	Similaire

Obsolète

Non annulable/Non remboursable

NTTFS5826NLTWG