NVATS5A304PLZT4G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NVATS5A304PLZT4G
Numéro de produit DigiKey	NVATS5A304PLZT4G-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVATS5A304PLZT4G
Description	MOSFET P-CHANNEL 60V 120A ATPAK
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 120 A (Ta) 108W (Tc) Montage en surface ATPAK
Modèles EDA/CAO	NVATS5A304PLZT4G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,5mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,6V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13000 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	108W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	ATPAK
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	NVATS5