Name: NVB082N65S3F
Brand: onsemi
SKU: NVB082N65S3FOSTR-ND
Price: 8.77772 CHF
Availability: InStock

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NVB082N65S3F
Numéro de produit DigiKey	NVB082N65S3FOSTR-ND - Bande et bobine NVB082N65S3FOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVB082N65S3FOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVB082N65S3F
Description	MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 40 A (Tc) 313W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±30V
Série SuperFET® III, FRFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3410 pF @ 400 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 313W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 82mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base NVB082
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 4mA