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NVB6411ANT4G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NVB6411ANT4G-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NVB6411ANT4G |
Description | MOSFET N-CH 100V 77A D2PAK-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 77 A (Tc) 217W (Tc) Montage en surface D2PAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NVB6411ANT4G Modèles |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3700 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 217W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier fournisseur D2PAK |
Rds On (max.) à Id, Vgs 14mohms à 72A, 10V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB70N10S312ATMA1 | Infineon Technologies | 1’917 | IPB70N10S312ATMA1CT-ND | Fr. 3.08000 | Similaire |
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | 1’600 | 448-IRFS4510TRLPBFTR-ND | Fr. 0.85271 | Similaire |
| IXTA80N10T | IXYS | 0 | 238-IXTA80N10T-ND | Fr. 4.43000 | Similaire |
| STB80NF10T4 | STMicroelectronics | 807 | 497-2489-1-ND | Fr. 2.99000 | Similaire |





