Name: NVBG020N120SC1
Brand: onsemi
SKU: 5556-NVBG020N120SC1TR-ND
Price: 42.22386 CHF
Availability: InStock

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NVBG020N120SC1
Numéro de produit DigiKey	5556-NVBG020N120SC1TR-ND - Bande et bobine 5556-NVBG020N120SC1CT-ND - Bande coupée (CT) 5556-NVBG020N120SC1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVBG020N120SC1
Description	MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	14 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 8,6A (Ta), 98A (Tc) 3,7W (Ta), 468W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVBG020N120SC1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8,6A (Ta), 98A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	28mohms à 60A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 20mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	220 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2943 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 468W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK-7
Boîtier	TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Numéro de produit de base	NVBG020