NVBGS1D2N08H onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

NVBGS1D2N08H est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Recommandation fabricant

onsemi

En stock: 2’283

Prix unitaire : Fr. 5.30000

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NVBGS1D2N08H
Numéro de produit DigiKey	488-NVBGS1D2N08HTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVBGS1D2N08H
Description	T8-80V IN SUZHOU D2PAK7L FOR AUT
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 43A (Ta), 290A (Tc) 5,7W (Ta), 259W (Tc) Montage en surface D2PAK-7
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	43A (Ta), 290A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,34mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 650µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10830 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5,7W (Ta), 259W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK-7
Boîtier	TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)