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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NVD3055L170T4G | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | NVD3055L170T4GOSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NVD3055L170T4G |
Description | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 9 A (Ta) 1,5W (Ta), 28,5W (Tj) Montage en surface DPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | NVD3055L170T4G Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10 nC @ 5 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±15V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 275 pF @ 25 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 1,5W (Ta), 28,5W (Tj) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V | Boîtier fournisseur DPAK |
Rds On (max.) à Id, Vgs 170mohms à 4,5A, 5V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA | Numéro de produit de base |
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