Name: NVF6P02T3G
Brand: onsemi
SKU: NVF6P02T3GOSTR-ND
Price: 1.63231 CHF
Availability: InStock

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NVF6P02T3G
Numéro de produit DigiKey	NVF6P02T3GOSTR-ND - Bande et bobine NVF6P02T3GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVF6P02T3GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVF6P02T3G
Description	MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 10 A (Ta) 8,3W (Ta) Montage en surface SOT-223 (TO-261)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVF6P02T3G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 4.5 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF @ 16 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 8,3W (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Boîtier fournisseur SOT-223 (TO-261)
Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 6A, 4,5V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA	Numéro de produit de base NVF6P02