NVGS3443T1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

NVGS3443T1G est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 0.51000

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NVGS3443T1G
Numéro de produit DigiKey	NVGS3443T1GOSTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVGS3443T1G
Description	MOSFET P-CH 20V 3.1A 6TSOP
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 3,1 A (Ta) Montage en surface 6-TSOP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVGS3443T1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,1 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 4,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 4.5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	565 pF @ 5 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	6-TSOP
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	NVGS3443