Name: NVMFS5113PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS5113PLT1GOSTR-ND
Price: 3.18895 CHF
Availability: InStock

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NVMFS5113PLT1G
Numéro de produit DigiKey	NVMFS5113PLT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVMFS5113PLT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMFS5113PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS5113PLT1G
Description	MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 10 A (Ta), 64 A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMFS5113PLT1G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 83 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4400 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Ta), 64 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (max.) à Id, Vgs 14mohms à 17A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA	Numéro de produit de base NVMFS5