NVMFS6B25NLT3G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

NVMFS6B25NLT3G est obsolète et n'est plus fabriqué.

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onsemi

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Prix unitaire : Fr. 0.00000

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NVMFS6B25NLT3G
Numéro de produit DigiKey	NVMFS6B25NLT3G-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6B25NLT3G
Description	MOSFET N-CH 100V 8A/33A 5DFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 8 A (Ta), 33 A (Ta) 3,6W (Ta), 62W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	8 A (Ta), 33 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	24mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	905 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,6W (Ta), 62W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NVMFS6