NVMFS6B14NWFT1G onsemi | FET, MOSFET simples

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onsemi

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Prix unitaire : Fr. 3.75000

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NVMFS6B14NWFT1G
Numéro de produit DigiKey	NVMFS6B14NWFT1G-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6B14NWFT1G
Description	MOSFET N-CH 100V 5DFN
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 55 A (Tc) 3,8W (Ta), 94W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMFS6B14NWFT1G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V
Fabricant onsemi	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF @ 50 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 94W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Rds On (max.) à Id, Vgs 15mohms à 20A, 10V	Boîtier 8-PowerTDFN, 5 sorties
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA	Numéro de produit de base NVMFS6

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDWS86068-F085	onsemi	0	FDWS86068-F085OSCT-ND	Fr. 3.75000	Recommandation fabricant

Obsolète

NVMFS6B14NWFT1G