Name: NVMFS6H818NWFT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H818NWFT1GOSTR-ND
Price: 2.69169 CHF
Availability: InStock

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NVMFS6H818NWFT1G
Numéro de produit DigiKey	NVMFS6H818NWFT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVMFS6H818NWFT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMFS6H818NWFT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6H818NWFT1G
Description	MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 20 A (Ta), 123 A (Tc) 3,8W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMFS6H818NWFT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20 A (Ta), 123 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,7mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 190µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3100 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NVMFS6