Name: NVMFS6H848NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFS6H848NLT1GTR-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVMFS6H848NLT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFS6H848NLT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFS6H848NLT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFS6H848NLT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6H848NLT1G
Description	MOSFET N-CH 80V 13A/59A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 13A (Ta), 59A (Tc) 3,7W (Ta), 73W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NVMFS6H848NLT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13A (Ta), 59A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,8mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 70µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1420 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,7W (Ta), 73W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NVMFS6