Name: NVMFWS2D9N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS2D9N04XMT1GTR-ND
Price: 1.49178 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVMFWS2D9N04XMT1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFWS2D9N04XMT1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFWS2D9N04XMT1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFWS2D9N04XMT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFWS2D9N04XMT1G
Description	SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 25A (Ta), 94A (Tc) 50W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25A (Ta), 94A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,1mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 40µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	50W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NVMFWS