Name: NVMJST2D6N08HTXG
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMJST2D6N08HTXGTR-ND
Price: 3.03761 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVMJST2D6N08HTXG
Numéro de produit DigiKey	488-NVMJST2D6N08HTXGTR-ND - Bande et bobine 488-NVMJST2D6N08HTXGCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMJST2D6N08HTXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMJST2D6N08HTXG
Description	TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 28A (Ta), 131,5A (Tc) 5,3W (Ta), 116W (Tc) Montage en surface 10-TCPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	28A (Ta), 131,5A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	68 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4405 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5,3W (Ta), 116W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	10-TCPAK
Boîtier	10-PowerLSOP (0,209po, 5,30mm de largeur)
Numéro de produit de base	NVMJST2D

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

En stock: 11’870

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®