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Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NVXK2TR80WDT | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 5556-NVXK2TR80WDT-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NVXK2TR80WDT |
Description | MOSFET 4N-CH 1200V 20A APM32 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 14 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 20 A (Tc) 82W (Tc) Trou traversant APM32 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | onsemi | |
Série | - | |
Conditionnement | Tube | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 4 Canal N (demi-pont) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 20 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 116mohms à 20A, 20V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,3V à 5mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 56nC à 20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1154pF à 800V | |
Puissance - Max. | 82W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Trou traversant | |
Boîtier | Module 32-PowerDIP (1,311po, 33,30mm) | |
Boîtier fournisseur | APM32 |
En stock: 60
Stock usine : 180
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 37.48000 | Fr. 37.48 |
| 60 | Fr. 26.32850 | Fr. 1’579.71 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 37.48000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 40.51588 |
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