MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 338A (Tj) 1100W (Tj) Montage sur châssis 36-PIM (56,7x62,8)
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MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 338A (Tj) 1100W (Tj) Montage sur châssis 36-PIM (56,7x62,8)
NXH004P120M3F2PTNG
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH004P120M3F2PTNG

Numéro de produit DigiKey
5556-NXH004P120M3F2PTNG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXH004P120M3F2PTNG
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 338A (Tj) 1100W (Tj) Montage sur châssis 36-PIM (56,7x62,8)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 120mA
Fabricant
onsemi
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
876nC à 20V
Conditionnement
Plateau
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
16410pF à 800V
Statut du composant
Actif
Puissance - Max.
1100W (Tj)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Type de montage
Montage sur châssis
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier
Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
338A (Tj)
Boîtier fournisseur
36-PIM (56,7x62,8)
Rds On (max.) à Id, Vgs
5,5mohms à 200A, 18V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Disponible sur commande
Stock usine : 11’200
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Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 164.01000Fr. 164.01
20Fr. 146.31000Fr. 2’926.20
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 164.01000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 177.29481