NXH50M65L4C2SG onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NXH50M65L4C2SG
Numéro de produit DigiKey	488-NXH50M65L4C2SG-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NXH50M65L4C2SG
Description	IGBT MODULE 650V 50A 20MW 27-DIP
Référence client
Description détaillée	IGBT Module Inverseur triphasé 650 V 50 A 20 mW Trou traversant 27-DIP

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type d'IGBT	-
Configuration	Inverseur triphasé
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	50 A
Puissance - Max.	20 mW
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,2V à 15V, 75A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	250 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	4.877 nF @ 20 V
Entrée	Pont redresseur monophasé
Thermistance CTN	Oui
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	Module 27-PowerDIP (1,858po, 47,20mm)
Boîtier fournisseur	27-DIP
Numéro de produit de base	NXH50

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 53.64000	Fr. 53.64

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.