NXH600N65L4Q2F2SG onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NXH600N65L4Q2F2SG
Numéro de produit DigiKey	488-NXH600N65L4Q2F2SG-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NXH600N65L4Q2F2SG
Description	IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
Référence client
Description détaillée	IGBT Module À tranchées à champ limité Inverseur trois niveaux 650 V 483 A 931 W Montage sur châssis 41-PIM/Q2PACK (93x47)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Obsolète
Type d'IGBT	À tranchées à champ limité
Configuration	Inverseur trois niveaux
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	650 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	483 A
Puissance - Max.	931 W
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,2V à 15V, 600A
Courant - Résiduel de collecteur (max.)	100 µA
Capacité d'entrée (Cies) à Vce	37.1 nF @ 20 V
Entrée	Standard
Thermistance CTN	Oui
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	41-PIM/Q2PACK (93x47)
Numéro de produit de base	NXH600

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1	Fr. 111.87000	Fr. 111.87

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