Name: RFD12N06RLESM9A
Brand: onsemi
SKU: RFD12N06RLESM9ATR-ND
Price: 1.45935 CHF
Availability: InStock

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RFD12N06RLESM9A
Numéro de produit DigiKey	RFD12N06RLESM9ATR-ND - Bande et bobine RFD12N06RLESM9ACT-ND - Bande coupée (CT) RFD12N06RLESM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	RFD12N06RLESM9A
Description	MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 18 A (Tc) 49W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V
Série UltraFET™	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 485 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 49W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur TO-252AA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base RFD12N06
Rds On (max.) à Id, Vgs 63mohms à 18A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2’500	Fr. 0.34364	Fr. 859.10
5’000	Fr. 0.31915	Fr. 1’595.75

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 1.35000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 1.45935

RFD12N06RLESM9A