SMMBTH10-4LT3G onsemi | Transistors RF bipolaires

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SMMBTH10-4LT3G
Numéro de produit DigiKey	488-SMMBTH10-4LT3GTR-ND - Bande et bobine 488-SMMBTH10-4LT3GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-SMMBTH10-4LT3GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	SMMBTH10-4LT3G
Description	RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT-23-3
Référence client
Description détaillée	RF Transistor NPN 25V 800MHz 225mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SMMBTH10-4LT3G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors RF bipolaires	Puissance - Max. 225mW
Fabricant onsemi	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 120 à 4mA, 10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Statut du composant Obsolète	Type de montage Montage en surface
Type de transistor NPN	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 25V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Fréquence - Transition 800MHz	Numéro de produit de base SMMBTH10

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Classifications environnementales et d'exportation

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Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BFP420H6327XTSA1	Infineon Technologies	3’820	BFP420H6327XTSA1CT-ND	Fr. 0.36000	Similaire

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Bande coupée (CT)