FQA62N25CPWD onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FQA62N25CPWD
Numéro de produit DigiKey	488-FQA62N25CPWD-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FQA62N25CPWD
Description	POWER MOSFET, N-CHANNEL, QFET, 2
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 62 A (Tc) 298W (Tc) Trou traversant TO-3PN
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	62 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	35mohms à 31A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6280 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	298W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3PN
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3

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