Name: 2SK1808-E
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-2SK1808-E-ND
Price: 8.64909 CHF
Availability: OutOfStock

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TK5A90E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

En stock: 27

Prix unitaire : Fr. 1.70000

Fiche technique

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2SK1808-E
Numéro de produit DigiKey	559-2SK1808-E-ND
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	2SK1808-E
Description	NCH POWER MOSFET 900V 4A 4000MOH
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 4 A (Ta) 35W (Tc) Trou traversant TO-220FM

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Plateau
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	900 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4ohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 1mA
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	740 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220FM
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3

Product Questions and Answers

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Dernière disponibilité

Date de dernière disponibilité : 31/03/2026

Quantité

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Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
375	Fr. 8.00101	Fr. 3’000.38

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.